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2008年3月25日 星期二

美光恐失去保護傘 全球DRAM將全面進入6F2市場戰爭 - 電子時報

美光恐失去保護傘 全球DRAM將全面進入6F2市場戰爭
台灣DRAM廠不落人後 2008年下半陸續導入6F2技術

吳宗翰/台北2008/03/25

  過去美光(Micron)向來引以為傲的DRAM製造技術6F2恐將失去保護傘,原因在於DRAM廠為了能進一步降低製造成本,提高本身產出數量,預計也 將全面導入6F2技術與美光一較高低,而台系DRAM廠也不再像過去那樣必需等到技術母廠導入約1季後,才能夠開始導入新製造技術,此次台系DRAM廠將 預計自2008年下半陸續導入6F2量產技術。

過去美光科技較讓人敬佩的便是相當引以為傲6F2技術,此技術最大優點便是在相同面 積晶圓片上,卻還能產出更多DRAM顆粒數,過去美光雖在12吋廠進度上與其餘競爭對手相較,顯然要落後些許進度,不過正因為美光科技擁有相當先進6F2 技術,使其就算採用8吋廠製造DRAM,但挾的6F2技術平均每片8吋晶圓較舊有的8F2技術要再增加約30%產出顆粒。


這樣的技術看在其餘競爭對手眼中自然不是滋味,為此經過幾年努力後,其餘DRAM廠也陸續自2008年加入6F2市場競爭,據了解,爾必達將自2008年第3季起導入採用6F2技術,至於製程技術則採用的是68奈米製程技術。

在奇夢達方面,面對未來溝槽式製程技術也恐將無法繼續下去,因此將自2008年第3季起導入6F2技術投入量產,且採用製程技術更為先進的65奈米製程技術。

事實上,全球第1大DRAM廠三星電子過去便已有導入6F2技術,不過同樣為了製造成本壓力,必需持續將6F2技術導入下世代製程技術,據了解,三星電子最快會在2009年第1季~第2季左右導入58奈米製程技術,且將延用6F2技術。

台 系DRAM廠依據過往經驗來看,當技術母廠導入全新下世代製程技術後,通常必需再等上約1季,台系DRAM廠才得以陸續導入與技術母廠相同製程技術,不過 為了保有相同競爭優勢,且技術母廠為了本身得以維持既有市場佔有率,也開始讓台系DRAM廠幾近同步導入先進製程技術。

因此,像是美光未來一旦與南亞科正式結上親家後,將會正式授權南亞科導入68奈米製程技術,且將會是採用6F2技術的DRAM量產技術,目前看來,南亞科將會在2008年第3季,在其第1座12吋廠導入6F2技術。

無獨有偶的爾必達重要伙伴力晶,對於導入6F2技術同樣不遺餘力,據了解,力晶的12B與12M廠也將會陸續導入爾必達的6F2技術,且同樣會採用68奈米製程技術,茂德原本技術母廠海力士由於本身尚未有6F2技術,因此茂德在6F2技術進度上將需視海力士而定。

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