全球第一家 三星宣布量產PRAM 權五鉉：未來將取代NOR Flash

鉅亨網記者葉小慧 台北
2009 / 09 / 22 星期二 19:40

三星 (005930-KR；Samsung) 半導體社長權五鉉今 (22)日在第三屆三星行動解決方案論壇上宣布，已開始 正式量產 512Mb相位變化隨機存取記憶體晶片(PRAM, phase change random access memory)。權五鉉對媒體 表示，三星為全球第一家將PRAM推向市場的公司，PRAM 兼具高效能及低耗電特色，目前已與客戶合作，未來可 望逐步取代NOR Flash。

三星指出，高密度及高效能是智慧型手機最主要的 技術要求，但這兩種特性都會使耗電量大幅增加，而 PRAM大幅簡化了資料存取的邏輯，對DRAM的支援仰賴程 度較低，因此其用電效率極高。在使用PRAM的情況下， 手機電池的使用時間將可延長 20%以上。

三星表示，這種 512Mb PRAM 能在80毫秒內消除64 KW(千字單位)，速度比 NOR快閃記憶體要快上10倍；而 在大小為 500萬位元組(MB)的資料段落中，PRAM消除及 重寫資料的速度，也要比NOR快閃記憶體快上 7倍。

三星這項第一款PRAM產品是運用60奈米級技術生產 ，而這也正是目前用以生產 NOR快閃記憶體的技術。至 於未來的新世代PRAM，則將採用更先進的技術節點製造 ，以加速產品的商業化應用。